TiN涂层陶瓷刀具膜-基界面应力的试验研究
<P><STRONG>1 引言 <BR></STRONG><BR>TiN薄膜作为一种超硬涂层,具有高硬度、高耐磨性、低摩擦系数和良好的化学稳定性,已广泛应用于机械加工中的工模具涂层。但是,TiN薄膜与硬质合金和陶瓷刀具基体的附着力较差,在切削力作用下容易从基体上脱落,严重影响TiN涂层刀具的切削性能和使用寿命。因此,如何提高TiN涂层的膜—基附着力一直是该领域的研究热点之一。本文采用X衍射sin2y法测定了在Si3N4 陶瓷刀具基体上沉积TiN薄膜的残余应力,研究了残余应力对膜—基结合力的影响,测试分析了TiN膜—基界面的形貌和成分,并对残余应力的产生机理进行了初步探讨。 <BR><BR><STRONG>2 试验方法</STRONG> <BR><BR>2.1 试样准备 <BR><BR>试样采用市售的Si3N4 陶瓷成形刀具,外形为四棱柱形,尺寸为12.7mm×12.7mm×4.76mm,经淬火和去应力退火后硬度为65HRC以上,采用PVD涂层工艺在陶瓷刀具基体上沉积厚度约为5µm的TiN薄膜。 <BR><BR>2.2 试验方案 <BR><BR>利用X350A型X射线衍射应力分析仪对涂层后的陶瓷刀具试样表面的TiN薄膜进行X射线衍射分析,管电压为22kV,管电流为6mA,铬靶K<FONT face=symbol>a</FONT>特征辐射,准直管直径为4mm,阶梯扫描步进角0.1°,时间常数1s ,扫描起始角和终止角分别为132°和126°,侧倾角<FONT face=symbol>y</FONT> 分别取0°、15°、25°和45°。对于铬靶K<FONT face=symbol>a</FONT>特征辐射,XRD线型分析选用TiN薄膜(3 1 1) 晶面衍射峰,X射线吸收系数取µ<SUB>f</SUB>= 2.5×105m<SUP>-1</SUP>,膜下陶瓷刀具基体为(2 2 2) 晶面,衍射角<FONT face=symbol>q</FONT>=69.28°。 <BR><BR><STRONG>3 试验结果及讨论 <BR></STRONG><BR>3.1 理论分析与计算 <BR><BR>理论分析与计算</B> </P><DD>经Raman光谱证实陶瓷刀具的表面薄膜为TiN相后,用X射线衍射测量TiN薄膜的应力。测量原理为:应力的存在会引起晶格畸变,使晶格常数发生变化,根据Bragg 衍射公式(2dsin<FONT face=symbol>q</FONT>=<FONT face=symbol>l</FONT>)可确定薄膜材料的晶面间距,则薄膜应力为 <BR><BR>
<TABLE width="100%">
<TBODY>
<TR>
<TD align=middle>
<TABLE>
<TBODY>
<TR align=middle>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>F=</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>E</FONT></TD>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>=</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>E</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>d<SUB>0</SUB>-d</FONT></TD></TR>
<TR bgColor=#000000 height=1>
<TD><FONT size=2></FONT></TD>
<TD><FONT size=2></FONT></TD>
<TD><FONT size=2></FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>2<FONT face=symbol>s</FONT><SUP><FONT face=symbol>e</FONT></SUP></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>2<FONT face=symbol>s</FONT></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>d</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE></TD>
<TD width=10><FONT size=2>(1)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE><BR>式中:E ——薄膜材料的杨氏模量 <BR>σ——泊松比 <BR>d0——晶面间距 <BR>ε——薄膜应变 <BR><BR>对于TiN薄膜, E=450GPa,σ≈0.22,(2 2 2)面的d0=0.20592nm。F的正负分别对应于张应力和压应力。TiN薄膜的本征应力由测得的F值减去热应力值而得到。 <BR><BR>由于TiN薄膜与陶瓷基体材料的热膨胀系数不同,因此X 射线衍射结果包括了由此产生的热应力F1,F1的计算式为 <BR>
<TABLE width="100%">
<TBODY>
<TR>
<TD align=middle><BR>
<TABLE>
<TBODY>
<TR align=middle>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>F<SUB>1</SUB>=</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>E</FONT></TD>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>=</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>E</FONT></TD></TR>
<TR bgColor=#000000 height=1>
<TD><FONT size=2></FONT></TD>
<TD><FONT size=2></FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>1-<FONT face=symbol>s</FONT><SUP><FONT face=symbol>e</FONT><SUB>t</SUB></SUP></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>1-<FONT face=symbol>s</FONT><SUP>(<FONT face=symbol>a</FONT><SUB>f</SUB>-<FONT face=symbol>a</FONT><SUB>s</SUB>)</SUP></FONT></TD></TR></TBODY></TABLE></TD>
<TD width=10><FONT size=2>(2)</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE><BR>式中:E/(1-σ)——TiN薄膜的双轴杨氏模量,取值为1345GPa <BR>εt——热应变 <BR>αf——TiN薄膜的热膨胀系数,αf=(0.8~4.8)×10<SUP>-6</SUP>/℃ <BR>αs——基体的热膨胀系数,αs=(2.4~4.2)×10<SUP>-6</SUP>/℃ <BR>△T——沉积温度与测量温度之差 <BR><BR>在本试验的测量范围内,Ft为负值,即热应力为压应力,根据方程Fi=F-Ft即可根据测得的总应力F和热应力Ft求得TiN薄膜的内应力。 <BR><BR>3.2 组织结构分析 <BR><BR>Si3N4 和TiN的机械性能如表1 所示。对于TiN-Si3N4 系统,TiN的热膨胀系数和弹性模量均大于Si3N4,用努氏(Knoop)显微硬度计测得TiN薄膜的显微硬度为24GPa。
<P align=center><STRONG>表1 Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>和TiN的机械性能对比</STRONG> <BR>
<TABLE cellSpacing=0 borderColorDark=#ffffff cellPadding=0 width="100%" borderColorLight=#000000 border=1>
<TBODY>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>材料</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>热胀系数<BR>(K<SUP>-1</SUP>)</FONT></TD>
<TD><BR><FONT size=2>弹性模量<BR>(Gpa)</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>泊松比</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>密度<BR>(g/cm<SUP>3</SUP>)</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>显微硬度<BR>(Gpa)</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>3.25×10<SUP>-6</SUP></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>300</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>0.24</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>3.21</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>30</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>TiN</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>8.0×10<SUP>-6</SUP></FONT></TD>
<TD><FONT size=2>450</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>0.22</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>5.44</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>20.5</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE></P>用JSM-5800型扫描电子显微镜(SEM)分析TiN薄膜和Si3N4基体的组织形貌(见图1);用X射线衍射(XRD)分析SUS304基体和TiN薄膜的XRD织构谱图(见图2);用HITACHIS-530(SEM)及LinkISIS能谱仪测定薄膜的成分;用MXP18AHF衍射仪(XRD)测定薄膜晶体结构及取向,结果表明为多晶态结构;用俄歇电子能谱(AES)进行成分分析,并对元素Ti和N的含量作归一化处理,结果表明TiN薄膜中N原子含量为48.80% ,其成分接近正常的化学计量比。
<P align=center><IMG src="http://www.chmcw.com/upload/news/RCL/13220_oqw33u200741714913.jpg"><STRONG> <IMG src="http://www.chmcw.com/upload/news/RCL/13220_dsbogd200741714927.jpg"></STRONG></P>
<P align=center><STRONG>图1 TiN薄膜和Si3N4基体的SEM图</STRONG></P>
<P align=center><STRONG><IMG src="http://www.chmcw.com/upload/news/RCL/13220_j34mqq200741714105.jpg"></STRONG></P>
<P align=center><STRONG>图2 陶瓷刀具表面TiN薄膜的XRD 织构谱图</STRONG></P>
<P>TiN薄膜的X 射线衍射结果(见图2)表明,TiN(2 2 2)、(3 1 1)和(2 2 0)三个衍射峰都出现在图中。由于(3 1 1)和(2 2 0)峰的强度较低,且为非高斯型曲线,故采用(2 2 2)峰测定的d值来研究薄膜的应力状况。由于X射线源本身有一定线宽以及微细晶粒(<0.1µm) 间存在微观应力和应变,使得衍射峰具有一定宽度,由此引起的实验误差≤10%。 <BR><BR>TiN薄膜表面平整、致密,呈金黄色,其断面的SEM观察结果如图3所示。 </P>
<P align=center><IMG src="http://www.chmcw.com/upload/news/RCL/13220_pjkmqz2007417141246.jpg"></P>
<P align=center><STRONG>图3 TiN薄膜结合界面的SEM图</STRONG></P>
<P>3.3 XRD分析 <BR><BR>对Si3N4陶瓷刀具试样表面TiN涂层的残余应力进行了测试,测试部位包括中心区域0°、45°和90°三个方向;同时还测量了陶瓷刀具基体的表面应力状态,测试结果见表2。由表2可知,薄膜应力值均为负值,表明表面均处于压应力状态,这有利于提高刀具的抗疲劳强度。TiN涂层刀具试样表面产生残余应力的根本原因在于膜—基材料热学性能的差异,残余应力的大小与沉积工艺方法关系不大。 </P>
<P align=center><STRONG>表2 残余应力测试结果</STRONG> <BR>
<TABLE cellSpacing=0 borderColorDark=#ffffff cellPadding=0 width="100%" borderColorLight=#000000 border=1>
<TBODY>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>测试表面</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>试样方向</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>应力值(MPa)</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>TiN薄膜</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>0°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-3221.1</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>45°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-2245.5</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>90°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-2243.2</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD rowSpan=3><FONT size=2>Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>基体</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>0°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-1245.2</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>45°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-1325.3</FONT></TD></TR>
<TR align=middle>
<TD><FONT size=2>90°</FONT></TD>
<TD><FONT size=2>-1796.7</FONT></TD></TR></TBODY></TABLE></P>
<P>将上述应力值作为深度20~30µm(即X射线透射深度)内的平均应力值,则陶瓷刀具试样上靠近膜—基界面的刀具基体表面表现为与薄膜内应力方向一致的压应力,且薄膜应力与基体应力的差值较大,为447~1795MPa。 <BR><BR><STRONG>4 结语</STRONG> <BR><BR>通过试验,测定了Si3N4 陶瓷刀具基体上沉积TiN薄膜的内应力,分析了成膜过程中应力形成的原因。主要结论如下: <BR><BR>陶瓷刀具表面TiN薄膜的残余应力为负值,即为压应力,这有利于提高TiN涂层刀具的疲劳强度; <BR><BR>应力的大小及分布对涂层刀具的硬度和结合强度均有明显影响,应力越大,表面硬度和结合强度也越大。</P></DD>
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