TiN涂层陶瓷刀具膜-基界面应力的试验研究

HEATS

1 引言

TiN薄膜作为一种超硬涂层，具有高硬度、高耐磨性、低摩擦系数和良好的化学稳定性，已广泛应用于机械加工中的工模具涂层。但是，TiN薄膜与硬质合金和陶瓷刀具基体的附着力较差，在切削力作用下容易从基体上脱落，严重影响TiN涂层刀具的切削性能和使用寿命。因此，如何提高TiN涂层的膜—基附着力一直是该领域的研究热点之一。本文采用X衍射sin2y法测定了在Si3N4 陶瓷刀具基体上沉积TiN薄膜的残余应力，研究了残余应力对膜—基结合力的影响，测试分析了TiN膜—基界面的形貌和成分，并对残余应力的产生机理进行了初步探讨。

2 试验方法

2.1 试样准备

试样采用市售的Si3N4 陶瓷成形刀具，外形为四棱柱形，尺寸为12.7mm×12.7mm×4.76mm，经淬火和去应力退火后硬度为65HRC以上，采用PVD涂层工艺在陶瓷刀具基体上沉积厚度约为5µm的TiN薄膜。

2.2 试验方案

利用X350A型X射线衍射应力分析仪对涂层后的陶瓷刀具试样表面的TiN薄膜进行X射线衍射分析，管电压为22kV，管电流为6mA，铬靶Ka特征辐射，准直管直径为4mm，阶梯扫描步进角0.1°，时间常数1s ，扫描起始角和终止角分别为132°和126°，侧倾角y 分别取0°、15°、25°和45°。对于铬靶Ka特征辐射，XRD线型分析选用TiN薄膜(3 1 1) 晶面衍射峰，X射线吸收系数取µ_f= 2.5×105m^-1，膜下陶瓷刀具基体为(2 2 2) 晶面，衍射角q=69.28°。

3 试验结果及讨论

3.1 理论分析与计算

理论分析与计算

5 z/ @+ U& E2 i0 b- O" d

经Raman光谱证实陶瓷刀具的表面薄膜为TiN相后，用X射线衍射测量TiN薄膜的应力。测量原理为：应力的存在会引起晶格畸变，使晶格常数发生变化，根据Bragg 衍射公式(2dsinq=l)可确定薄膜材料的晶面间距，则薄膜应力为

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4 z V& F8 a, u% P. G# R( h' n* R, ^0 U/ ]+ k& X3 l9 r5 Q6 c0 j& f* C, f( i, F1 G1 A6 \2 J, }3 ^7 ` F# x2 A3 ]! [3 s* }) U# l. h5 V: D& q. i9 |$ p8 P9 S% r% X: D" i9 m' q5 k7 V2 P3 z, L; p F= E = E d0-d 2se 2s d

(1)

式中：E ——薄膜材料的杨氏模量
σ——泊松比
d0——晶面间距
ε——薄膜应变

对于TiN薄膜， E=450GPa，σ≈0.22，(2 2 2)面的d0=0.20592nm。F的正负分别对应于张应力和压应力。TiN薄膜的本征应力由测得的F值减去热应力值而得到。

由于TiN薄膜与陶瓷基体材料的热膨胀系数不同，因此X 射线衍射结果包括了由此产生的热应力F1，F1的计算式为
! Y* A5 b+ i/ o, v- Z5 ^; d7 H. {2 ^6 z" k; f( \: F4 x0 d5 z6 l- P1 @& l" I* p' i

s+ _2 `, L9 k; |' B/ @& x9 D& j- [+ t& P m2 @0 {3 M+ H% f* W, o6 I* Y1 A& C# O+ C7 r5 Z6 }0 ]* |$ k/ I6 `; \9 @$ I2 b L7 \+ Z+ S1 A( C5 s' u$ N6 S1 }7 L F1= E = E 1-set 1-s(af-as)

(2)

式中：E/(1-σ)——TiN薄膜的双轴杨氏模量，取值为1345GPa
εt——热应变
αf——TiN薄膜的热膨胀系数，αf=(0.8～4.8)×10^-6/℃
αs——基体的热膨胀系数，αs=(2.4～4.2)×10^-6/℃
△T——沉积温度与测量温度之差

在本试验的测量范围内，Ft为负值，即热应力为压应力，根据方程Fi=F-Ft即可根据测得的总应力F和热应力Ft求得TiN薄膜的内应力。

3.2 组织结构分析

Si3N4 和TiN的机械性能如表1 所示。对于TiN-Si3N4 系统，TiN的热膨胀系数和弹性模量均大于Si3N4，用努氏(Knoop)显微硬度计测得TiN薄膜的显微硬度为24GPa。 * Q( Y4 M3 n3 `3 |" o% M! q

表1 Si₃N₄和TiN的机械性能对比

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材料	热胀系数 (K-1)	弹性模量 (Gpa)	泊松比	密度 (g/cm3)	显微硬度 (Gpa)
Si3N4	3.25×10-6	300	0.24	3.21	30
TiN	8.0×10-6	450	0.22	5.44	20.5

用JSM-5800型扫描电子显微镜(SEM)分析TiN薄膜和Si3N4基体的组织形貌(见图1)；用X射线衍射(XRD)分析SUS304基体和TiN薄膜的XRD织构谱图(见图2)；用HITACHIS-530(SEM)及LinkISIS能谱仪测定薄膜的成分；用MXP18AHF衍射仪(XRD)测定薄膜晶体结构及取向，结果表明为多晶态结构；用俄歇电子能谱(AES)进行成分分析，并对元素Ti和N的含量作归一化处理，结果表明TiN薄膜中N原子含量为48.80% ，其成分接近正常的化学计量比。 9 V& s8 N) c. a; A

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图1 TiN薄膜和Si3N4基体的SEM图

图2 陶瓷刀具表面TiN薄膜的XRD 织构谱图

TiN薄膜的X 射线衍射结果(见图2)表明，TiN(2 2 2)、(3 1 1)和(2 2 0)三个衍射峰都出现在图中。由于(3 1 1)和(2 2 0)峰的强度较低，且为非高斯型曲线，故采用(2 2 2)峰测定的d值来研究薄膜的应力状况。由于X射线源本身有一定线宽以及微细晶粒(<0.1µm) 间存在微观应力和应变，使得衍射峰具有一定宽度，由此引起的实验误差≤10%。

TiN薄膜表面平整、致密，呈金黄色，其断面的SEM观察结果如图3所示。

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, Y- z, \9 R& ?/ k% E/ t

图3 TiN薄膜结合界面的SEM图

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3.3 XRD分析

对Si3N4陶瓷刀具试样表面TiN涂层的残余应力进行了测试，测试部位包括中心区域0°、45°和90°三个方向；同时还测量了陶瓷刀具基体的表面应力状态，测试结果见表2。由表2可知，薄膜应力值均为负值，表明表面均处于压应力状态，这有利于提高刀具的抗疲劳强度。TiN涂层刀具试样表面产生残余应力的根本原因在于膜—基材料热学性能的差异，残余应力的大小与沉积工艺方法关系不大。

表2 残余应力测试结果
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6 ~& s4 H; B( Y# E2 `) ~0 m# A. d5 S4 E+ y) l, i, p3 O E" ^8 _; y0 ~# Y0 O3 F$ j5 v2 e5 e) ^* D( A$ Z6 O6 u2 _# m, }+ U8 }5 I9 y! l% ~/ M$ t; `- \9 b; }8 w# a, Y) O6 X4 |7 g" x# u5 K) B$ S7 P% O3 F0 K: T( u/ j% y! J* c b( X1 C% r+ V) R4 y0 Q" `" X: L$ s1 `7 L6 b3 o: b( p" G9 F5 M5 Z9 Q: A, |2 r3 S6 t3 g2 M2 W! `

测试表面	试样方向	应力值(MPa)
TiN薄膜	0°	-3221.1
	45°	-2245.5
	90°	-2243.2
Si3N4基体	0°	-1245.2
	45°	-1325.3
	90°	-1796.7

将上述应力值作为深度20～30µm(即X射线透射深度)内的平均应力值，则陶瓷刀具试样上靠近膜—基界面的刀具基体表面表现为与薄膜内应力方向一致的压应力，且薄膜应力与基体应力的差值较大，为447～1795MPa。

4 结语

通过试验，测定了Si3N4 陶瓷刀具基体上沉积TiN薄膜的内应力，分析了成膜过程中应力形成的原因。主要结论如下：

陶瓷刀具表面TiN薄膜的残余应力为负值，即为压应力，这有利于提高TiN涂层刀具的疲劳强度；

应力的大小及分布对涂层刀具的硬度和结合强度均有明显影响，应力越大，表面硬度和结合强度也越大。

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