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铸铝及铝合金表面处理技术

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发表于 2008-7-20 06:43:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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铸铝及铝合金表面处理技术' J: l; L# y( {" d. \2 x 一、对铝制品表面进行机械抛光: 0 X6 p2 p/ g9 h% j: b8 M. a/ p! I" B: j. o: x6 X4 j8 L; | 机械抛光工序为:粗磨、细磨、抛光、抛亮、喷砂、刷光或滚光等,根据制表面的粗糙程度来适当采取不同的工序。 1 H7 _5 b% L# C# r 3 B0 e. k% i- y: E# ?) |二、化学除油: 1 o5 _0 s! Q- U% \4 M* f! c( u : v- A8 U8 y) _; h4 C化学除油过程是借着化学反应和物理化学作用,除去制件表面的油污。化学除油采用弱碱性溶液中进行。 0 W2 d L: J9 H ) M. ~" e& u& L2 E/ n化学除油液的配方和工艺条件: ! N3 C& p0 }: D9 k$ X b: l 1、配方:氢氧化钠30-50G/L,工业洗涤剂0.5-1ML/L,水70-125G。+ G1 c4 `0 l: c9 w 2、工艺条件: 温度:50-60℃ 时间:1-2min - Z+ b, u! [- @+ G3 p: j+ Y 3、除油后用清水冲洗。 0 Q2 ^8 n& O! }& P& g9 d; e4、化学除氧化膜:进行酸洗处理以中和制件表面残留的碱液,并除去其自然氧化膜,使之露出制件的铝及铝合金基体,对于含硅铝合金制作,必须用混合溶液进行酸洗,以除去其表面的暗色硅浮灰。 0 p5 [0 C: E2 z# e( _ : I8 E% W0 @8 n- f( T- u2 [! ? 酸洗液的配方: 0 {, d v& P) K/ q( H, I) b 浓硝液200~270ML/L . m% v2 c4 g/ x& Z0 e+ {+ S6 b$ j/ D温度:室温 时间:1-3min 0 T9 w `% M8 o: P除去含硅铝合金制件表面氧化膜和硅浮灰的酸洗液配方: 3 U+ j8 n) w$ L8 z" m& [浓硝酸3体积;浓氢氟酸1体积。 8 |( W/ n! E- [3 `! W# m G# }温度:室温 时间:5-15min % c- ]* w: q/ q4 T. l0 q7 \% g 铝及铝合金制件经化学酸洗后,必须立即用流动温水和冷水清洗,以除去残酸,然后浸入水中,以备化学抛光。 0 R5 N- q7 K- W. {2 b 8 n$ q- n L2 W 5、化学抛光: 8 F& `- E* W6 |+ n; P7 j# t $ I$ C6 @& C# }* |9 L' q, x. J7 H化学抛光是利用铝和铝合金制作在酸性或碱性电解质溶液中的选择性自溶解作用,来整平抛光制年表面,以降低其表面粗糙度、PH的化学加工方法。这种抛光方法具有设备简单、不用电源,不受制件外型尺寸限制,抛兴速度高和加工成本低等优点。 9 e [' B, V. D$ U 铝及铝合金的纯度对化学抛光的质量具有很大的影响,它的纯度愈高,抛光质量愈好,反之就愈差。 4 z, \) Z$ ]4 V/ j# [9 H化学抛光就是采用简要的粘性液膜理论进行的。 - p$ p6 k( `3 C 抛光液配方和工艺条件: " R6 A( e) T" @) s: n! c; n 配方一:(重量份) 5 g+ U8 B( R- ^2 X2 U, A浓磷酸75% ;浓硫酸8.8%;浓硝酸8.8%;尿素3.1%;硫酸胺4.4%;硫酸铜0.02%。 r) j2 s4 H& f& i3 K0 r  温度:100-200℃ 时间:2-3min . r3 ~/ ]1 t) \; w+ ^配方二:(重量份) N0 U6 L7 n/ W+ L( K( C浓磷酸85%;浓硝酸5%;冰乙酸10%。 & ~/ S; Y9 W9 \* B x0 z j5 W温度:90-105℃ 时间:2-5min + i& s" g6 o4 h8 u" Q- }抛光液的配制方法: 9 P# h0 U5 y: Q0 A1 ]( M . [! f1 W# G# j8 S5 g- L2 D1、先把磷酸、硫酸和硝酸按照一定的(%)重量,逐渐依次倒入抛光槽内,小心拦匀。 / O" b8 Z& m Z" i f 2 m! i& O/ u0 I t0 F/ L3 s2、再按配方的成分,分别用水溶解一定(%)重量的冰乙酸、尿素、硫酸胺、硫酸铜加入槽内拌匀。 C4 f6 N0 V+ Q3 q* S8 B ?8 _# t: h- \( X* p0 d, F 3、然后,在搅拌状态下,逐渐调节上述抛光液至各配方所需的温度范围,即可进行化学抛光。 ; u" x/ i/ i6 g+ [6 ~" D' `* l , i: x* V( |; e三、化学抛光工艺条件的影响: ) p+ T/ f0 Z) X4 E 1、温度影响: 8 o4 J. F' m& P' D1 X 温度应控制在90-115℃之间,其中最佳温度为105℃。 5 O- C3 X, C( I9 E8 Y2、抛光时间的影响: & g$ x7 @6 n" Z# u0 h抛光时间与抛光温度成反比,温度低延长抛光时间,温度高缩抛光时间。
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